东芝和西部数据现正研发128层3D NAND：最早2020年上市

3月7日消息 根据外媒的报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存
在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。

据介绍，芯片将实现TLC，而不是更新的QLC。这可能是因为NAND闪存制造商仍然对QLC芯片的低
产量有担心该芯片的数据密度为512 Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33％，可以在2020
到2021年实现商业化生产。

据报道，新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB / s据报道该芯片还采用了CuA（阵列电路）
这是一种设计创新，节省了15％的芯片尺寸。

就是不知道到时候 价格怎么样。